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506769TK4R3A06PL,S4X-Bild.Toshiba Semiconductor and Storage

TK4R3A06PL,S4X

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    TK4R3A06PL,S4X
  • Hersteller / Marke
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    TK4R3A06PL,S4X.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 500µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220SIS
  • Serie
    U-MOSIX-H
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.2 mOhm @ 15A, 4.5V
  • Verlustleistung (max)
    36W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-3 Full Pack
  • Andere Namen
    TK4R3A06PL,S4X(S
    TK4R3A06PLS4X
  • Betriebstemperatur
    175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    3280pF @ 30V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    48.2nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    60V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 60V 68A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220SIS
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    68A (Tc)

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TK4P55D(T6RSS-Q)

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Beschreibung: MOSFET N-CH 550V 4A DPAK-3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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TK4A53D(STA4,Q,M)

TK4A53D(STA4,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 525V 4A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK4P60DA(T6RSS-Q)

TK4P60DA(T6RSS-Q)

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK-3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK4R3E06PL,S1X

TK4R3E06PL,S1X

Beschreibung: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK4A55D(STA4,Q,M)

TK4A55D(STA4,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 550V 4A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK4A60DB(STA4,Q,M)

TK4A60DB(STA4,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 3.7A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK4A60D(STA4,Q,M)

TK4A60D(STA4,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 4A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK4A65DA(STA4,Q,M)

TK4A65DA(STA4,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 3.5A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK4A50D(STA4,Q,M)

TK4A50D(STA4,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 4A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK4P50D(T6RSS-Q)

TK4P50D(T6RSS-Q)

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK-3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK4A55DA(STA4,Q,M)

TK4A55DA(STA4,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 550V 3.5A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK4P60DB(T6RSS-Q)

TK4P60DB(T6RSS-Q)

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 3.7A DPAK-3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK430-IR

TK430-IR

Beschreibung: ELECTRICAL TEST KIT WITH IR THER

Hersteller: FLIR
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TK46A08N1,S4X

TK46A08N1,S4X

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 46A TO-220

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK45P03M1,RQ(S

TK45P03M1,RQ(S

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 45A DPAK-3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
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TK4R4P06PL,RQ

TK4R4P06PL,RQ

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
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TK430

TK430

Beschreibung: ELECTRICAL TEST KIT

Hersteller: FLIR
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TK4P55DA(T6RSS-Q)

TK4P55DA(T6RSS-Q)

Beschreibung: MOSFET N-CH 550V 3.5A DPAK-3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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TK4A60DA(STA4,Q,M)

TK4A60DA(STA4,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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TK46E08N1,S1X

TK46E08N1,S1X

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 80A TO-220

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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