TK4P55D(T6RSS-Q)

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Spezifikation

Artikelnummer

TK4P55D(T6RSS-Q)
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 550V 4A DPAK-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TK4P55D(T6RSS-Q).pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4.4V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

D-Pak
Serie

π-MOSVII
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.88 Ohm @ 2A, 10V
Verlustleistung (max)

80W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

TK4P55DT6RSSQ
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

490pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

550V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 550V 4A (Ta) 80W (Tc) Surface Mount D-Pak
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

4A (Ta)

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Das Folgende sind "TK4P55D(T6RSS-Q)" -Einziper.

TK46E08N1,S1X

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 80A TO-220

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK4P55D(T6RSS-Q)

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