TK62N60X,S1F

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Spezifikation

Artikelnummer

TK62N60X,S1F
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 61.8A TO-247
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TK62N60X,S1F.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

3.5V @ 3.1mA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-247
Serie

DTMOSIV-H
Rds On (Max) @ Id, Vgs

40 mOhm @ 21A, 10V
Verlustleistung (max)

400W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-247-3
Andere Namen

TK62N60X,S1F(S
TK62N60XS1F
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6500pF @ 300V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

135nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

Super Junction
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 61.8A (Ta) 400W (Tc) Through Hole TO-247
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

61.8A (Ta)

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Das Folgende sind "TK62N60X,S1F" -Einziper.

TK62J60W,S1VQ

Beschreibung: MOSFET N CH 600V 61.8A TO-3P(N)

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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TK62N60X,S1F

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