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TPC6107(TE85L,F,M)

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    TPC6107(TE85L,F,M)
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.2V @ 200µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    VS-6 (2.9x2.8)
  • Serie
    U-MOSIV
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    55 mOhm @ 2.2A, 4.5V
  • Verlustleistung (max)
    700mW (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    680pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    9.8nC @ 5V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    2V, 4.5V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    20V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 20V 4.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-6 (2.9x2.8)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    4.5A (Ta)
TPC6110(TE85L,F,M)

TPC6110(TE85L,F,M)

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 4.5A VS6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TPC6.8HM3/87A

TPC6.8HM3/87A

Beschreibung: TVS DIODE 5.5V 10.8V TO277A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
TPC6109-H(TE85L,FM

TPC6109-H(TE85L,FM

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 5A VS-6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TPC6104(TE85L,F,M)

TPC6104(TE85L,F,M)

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TPC6012(TE85L,F,M)

TPC6012(TE85L,F,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 6A VS6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TPC7.5AHM3_A/I

TPC7.5AHM3_A/I

Beschreibung: TVS DIODE 6.4V 11.3V TO277A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
TPC6111(TE85L,F,M)

TPC6111(TE85L,F,M)

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 5.5A VS-6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TPC6011(TE85L,F,M)

TPC6011(TE85L,F,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6A VS6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TPC6006-H(TE85L,F)

TPC6006-H(TE85L,F)

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TPC7.5AHM3/86A

TPC7.5AHM3/86A

Beschreibung: TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC SMPC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
TPC6901(TE85L,F,M)

TPC6901(TE85L,F,M)

Beschreibung: TRANS NPN/PNP 50V 6VS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TPC7.5AHM3/87A

TPC7.5AHM3/87A

Beschreibung: TVS DIODE 6.4V 11.3V TO277A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
TPC6.8AHM3_A/I

TPC6.8AHM3_A/I

Beschreibung: TVS DIODE 5.8V 10.5V TO277A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
TPC6113(TE85L,F,M)

TPC6113(TE85L,F,M)

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 5A VS6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TPC6009-H(TE85L,FM

TPC6009-H(TE85L,FM

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 5.3A VS6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TPC6.8HM3/86A

TPC6.8HM3/86A

Beschreibung: TVS DIODE 5.5VWM 10.8VC SMPC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
TPC7.5AHM3_A/H

TPC7.5AHM3_A/H

Beschreibung: TVS DIODE SMPC TO-277A

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
TPC6008-H(TE85L,FM

TPC6008-H(TE85L,FM

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 5.9A VS6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TPC6503(TE85L,F,M)

TPC6503(TE85L,F,M)

Beschreibung: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TPC6010-H(TE85L,FM

TPC6010-H(TE85L,FM

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 6.1A VS6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig

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