TPC6113(TE85L,F,M)

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Spezifikation

Artikelnummer

TPC6113(TE85L,F,M)
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 20V 5A VS6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.TPC6113(TE85L,F,M).pdf
2.TPC6113(TE85L,F,M).pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1.2V @ 200µA
Vgs (Max)

±12V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

VS-6 (2.9x2.8)
Serie

U-MOSVI
Rds On (Max) @ Id, Vgs

55 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Verlustleistung (max)

700mW (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Andere Namen

TPC6113(TE85LFM)
TPC6113TE85LFM
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

690pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 20V 5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-6 (2.9x2.8)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

5A (Ta)

Das Folgende sind "TPC6113(TE85L,F,M)" -Einziper.

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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 5A VS-6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 6A VS6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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Beschreibung: TVS DIODE 6.4V 11.3V TO277A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Beschreibung: TVS DIODE 6.05V 11.7V TO277A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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