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TPC8115(TE12L,Q,M)

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    TPC8115(TE12L,Q,M)
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 20V 10A SOP8 2-6J1B
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.2V @ 200µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SOP (5.5x6.0)
  • Serie
    U-MOSIV
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10 mOhm @ 5A, 4.5V
  • Verlustleistung (max)
    1W (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    9130pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    115nC @ 5V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    20V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 20V 10A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    10A (Ta)
TPC816A C9G

TPC816A C9G

Beschreibung: OPTOISO 5KV TRANS 4DIP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
TPC8092,LQ(S

TPC8092,LQ(S

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TPC8126,LQ(CM

TPC8126,LQ(CM

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TPC8125,LQ(S

TPC8125,LQ(S

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TPC8129,LQ(S

TPC8129,LQ(S

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TPC8111(TE12L,Q,M)

TPC8111(TE12L,Q,M)

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TPC8062-H,LQ(CM

TPC8062-H,LQ(CM

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TPC8067-H,LQ(S

TPC8067-H,LQ(S

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TPC8132,LQ(S

TPC8132,LQ(S

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 7A 8SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TPC8110(TE12L,Q,M)

TPC8110(TE12L,Q,M)

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 8A SOP8 2-6J1B

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TPC8134,LQ(S

TPC8134,LQ(S

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 5A 8SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TPC8109(TE12L)

TPC8109(TE12L)

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TPC8051-H(TE12L,Q)

TPC8051-H(TE12L,Q)

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 13A 8-SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TPC8066-H,LQ(S

TPC8066-H,LQ(S

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TPC816C C9G

TPC816C C9G

Beschreibung: OPTOISO 5KV TRANS 4DIP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
TPC8065-H,LQ(S

TPC8065-H,LQ(S

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TPC8133,LQ(S

TPC8133,LQ(S

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 9A 8SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TPC816D C9G

TPC816D C9G

Beschreibung: OPTOISO 5KV TRANS 4DIP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
TPC8113(TE12L,Q)

TPC8113(TE12L,Q)

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TPC816B C9G

TPC816B C9G

Beschreibung: OPTOISO 5KV TRANS 4DIP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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