TPC8125,LQ(S

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Spezifikation

Artikelnummer

TPC8125,LQ(S
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.TPC8125,LQ(S.pdf
2.TPC8125,LQ(S.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 500µA
Vgs (Max)

+20V, -25V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SOP
Serie

U-MOSVI
Rds On (Max) @ Id, Vgs

13 mOhm @ 5A, 10V
Verlustleistung (max)

1W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

TPC8125LQ(S
TPC8125LQS
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2580pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

64nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 30V 10A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

10A (Ta)

Das Folgende sind "TPC8125,LQ(S" -Einziper.

TPC8133,LQ(S

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 9A 8SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

TPC8134,LQ(S

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 5A 8SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

TPC8129,LQ(S

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

TPC8126,LQ(CM

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

TPC8092,LQ(S

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

TPC8132,LQ(S

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 7A 8SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

TPC8066-H,LQ(S

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

TPC8113(TE12L,Q)

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

TPC8111(TE12L,Q,M)

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

TPC816D C9G

Beschreibung: OPTOISO 5KV TRANS 4DIP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

RFQ

TPC8109(TE12L)

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

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TPC816C C9G

Beschreibung: OPTOISO 5KV TRANS 4DIP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

RFQ

TPC8110(TE12L,Q,M)

Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 8A SOP8 2-6J1B

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

TPC8067-H,LQ(S

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

TPC8065-H,LQ(S

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

TPC816B C9G

Beschreibung: OPTOISO 5KV TRANS 4DIP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

RFQ

TPC8062-H,LQ(CM

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

TPC8115(TE12L,Q,M)

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 10A SOP8 2-6J1B

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

TPC816MA C9G

Beschreibung: OPTOISO 5KV TRANS DIP-4M

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

RFQ

TPC816A C9G

Beschreibung: OPTOISO 5KV TRANS 4DIP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

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