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TPC8405(TE12L,Q,M)

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    TPC8405(TE12L,Q,M)
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2V @ 1mA
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SOP (5.5x6.0)
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    26 mOhm @ 3A, 10V
  • Leistung - max
    450mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1240pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    27nC @ 10V
  • Typ FET
    N and P-Channel
  • FET-Merkmal
    Logic Level Gate
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array N and P-Channel 30V 6A, 4.5A 450mW Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    6A, 4.5A
TPC8207(TE12L)

TPC8207(TE12L)

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TPC9.1AHM3/87A

TPC9.1AHM3/87A

Beschreibung: TVS DIODE 7.78V 13.4V TO277A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
TPC8408,LQ(S

TPC8408,LQ(S

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 40V 6.1A/5.3A 8SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TPC8213-H(TE12LQ,M

TPC8213-H(TE12LQ,M

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 5A SOP8

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TPC8223-H,LQ(S

TPC8223-H,LQ(S

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TPC8208(TE12L,Q)

TPC8208(TE12L,Q)

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TPC8212-H(TE12LQ,M

TPC8212-H(TE12LQ,M

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TPC9.1AHM3_A/I

TPC9.1AHM3_A/I

Beschreibung: TVS DIODE 7.78V 13.4V TO277A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
TPC8207(TE12L,Q)

TPC8207(TE12L,Q)

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TPC8221-H,LQ(S

TPC8221-H,LQ(S

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TPC8A05-H(TE12L,QM

TPC8A05-H(TE12L,QM

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TPC8208(TE12L,Q,M)

TPC8208(TE12L,Q,M)

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 5A SOP8

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TPC8A02-H(TE12L,Q)

TPC8A02-H(TE12L,Q)

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 16A SOP8 2-6J1B

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TPC817S1D RAG

TPC817S1D RAG

Beschreibung: OPTOISO 5KV TRANS 4SOP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
TPC9.1AHM3/86A

TPC9.1AHM3/86A

Beschreibung: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC SMPC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
TPC9.1AHM3_A/H

TPC9.1AHM3_A/H

Beschreibung: TVS DIODE SMPC TO-277A

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
TPC8407,LQ(S

TPC8407,LQ(S

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7.4A 8SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TPC9.1HM3/86A

TPC9.1HM3/86A

Beschreibung: TVS DIODE 7.37VWM 13.8VC SMPC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
TPC8A06-H(TE12LQM)

TPC8A06-H(TE12LQM)

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TPC8211(TE12L,Q,M)

TPC8211(TE12L,Q,M)

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A SOP8

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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