TPC8213-H(TE12LQ,M

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Spezifikation

Artikelnummer

TPC8213-H(TE12LQ,M
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 60V 5A SOP8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.TPC8213-H(TE12LQ,M.pdf
2.TPC8213-H(TE12LQ,M.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.3V @ 1mA
Supplier Device-Gehäuse

8-SOP (5.5x6.0)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

50 mOhm @ 2.5A, 10V
Leistung - max

450mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

625pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5A 450mW Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

5A

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Das Folgende sind "TPC8213-H(TE12LQ,M" -Einziper.

TPC817S1B RAG

Beschreibung: OPTOISO 5KV TRANS 4SOP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

TPC8213-H(TE12LQ,M

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