TPCC8002-H(TE12LQM

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Spezifikation

Artikelnummer

TPCC8002-H(TE12LQM
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.TPCC8002-H(TE12LQM.pdf
2.TPCC8002-H(TE12LQM.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-TSON Advance (3.3x3.3)
Serie

U-MOSV-H
Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.3 mOhm @ 11A, 10V
Verlustleistung (max)

700mW (Ta), 30W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerVDFN
Andere Namen

TPCC8002-H(TE12LQMCT
TPCC8002HTE12LQM
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2500pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 22A (Ta) 700mW (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

22A (Ta)

Das Folgende sind "TPCC8002-H(TE12LQM" -Einziper.

TPCC8066-H,LQ(S

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11A 8TSON-ADV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

TPCB02593-12-AM-AGDP-L

Beschreibung: ANTENNA EMBEDDED MICROSTRIPE R/A

Hersteller: Nearson

vorrätig

RFQ

TPCC8103(TE12L,QM)

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 18A 8TSON

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

TPCB02593-6-RMM-AGDP-L

Beschreibung: ANTENNA EMBEDDED MICROSTRIPE R/A

Hersteller: Nearson

vorrätig

RFQ

TPCC8003-H(TE12LQM

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

TPCA8A01-H(TE12L,Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 36A SOP8 ADV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

TPCC8008(TE12L,QM)

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

TPCC8067-H,LQ(S

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 9A 8TSON-ADV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

TPCC8065-H,LQ(S

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON-ADV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

TPCC8006-H(TE12LQM

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

TPCC8001-H(TE12LQM

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

TPCA8A02-H(TE12LQM

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 34A 8SOP ADV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

TPCA8105(TE12L,Q,M

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 6A SOP-8 ADV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

TPCA8128,LQ(CM

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 34A 8SOP-ADV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

TPCA8A04-H(TE12L,Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 44A 8SOP ADV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ