Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

*Unternehmen
*Name
*Titel

*E-Mail-Addresse
*Telefonnummer

*Land
*Kontaktfenster
*Ereignisdatum

*Nachricht

Für Besucher von Electronica 2024

Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.

Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > TPCC8A01-H(TE12LQM

RFQs/Bestellung (0)

Deutsch

Deutsch

768623

TPCC8A01-H(TE12LQM-Bild.

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCC8A01-H(TE12LQM

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

TPCC8A01-H(TE12LQM
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 21A SBD 8TSON
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.TPCC8A01-H(TE12LQM.pdf
2.TPCC8A01-H(TE12LQM.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.3V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-TSON Advance (3.3x3.3)
Serie

U-MOSV-H
Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.9 mOhm @ 10.5A, 10V
Verlustleistung (max)

700mW (Ta), 30W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerVDFN
Andere Namen

TPCC8A01-H(TE12LQMTR
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1900pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 21A (Ta) 700mW (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

21A (Ta)

relevante Nachrichten
Versand
Zahlungsmittel

Anthropic erhält eine weitere Investition von 4 Milliarden...

SEMI: Der Umsatz von IC im dritten Quartal um 12%, das ...

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

Versand

Zahlung

Das Folgende sind "TPCC8A01-H(TE12LQM" -Einziper.

TPCC8008(TE12L,QM)

TPCC8008(TE12L,QM)

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TPCDS-BSM-1

TPCDS-BSM-1

Beschreibung: SWITCH DISCONNECT 3-125A 80VDC

Hersteller: Bussmann (Eaton)

vorrätig

TPCDS-BBE-3

TPCDS-BBE-3

Beschreibung: SWITCH DISCONNECT 3-125A 80VDC

Hersteller: Bussmann (Eaton)

vorrätig

TPCC8093,L1Q

TPCC8093,L1Q

Beschreibung: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TPCDS-BBE-1

TPCDS-BBE-1

Beschreibung: SWITCH DISCONNECT 3-125A 80VDC

Hersteller: Bussmann (Eaton)

vorrätig

TPCDS-BBM-1

TPCDS-BBM-1

Beschreibung: SWITCH DISCONNECT 3-125A 80VDC

Hersteller: Bussmann (Eaton)

vorrätig

TPCDS-BSE-1

TPCDS-BSE-1

Beschreibung: SWITCH DISCONNECT 3-125A 80VDC

Hersteller: Bussmann (Eaton)

vorrätig

TPCC8006-H(TE12LQM

TPCC8006-H(TE12LQM

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TPCC8005-H(TE12LQM

TPCC8005-H(TE12LQM

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 26A 8TSON

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TPCC8066-H,LQ(S

TPCC8066-H,LQ(S

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11A 8TSON-ADV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TPCDS-BBM-3

TPCDS-BBM-3

Beschreibung: SWITCH DISCONNECT 3-125A 80VDC

Hersteller: Bussmann (Eaton)

vorrätig

TPCC8009,LQ(O

TPCC8009,LQ(O

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 24A 8TSON-ADV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TPCC8067-H,LQ(S

TPCC8067-H,LQ(S

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 9A 8TSON-ADV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TPCC8065-H,LQ(S

TPCC8065-H,LQ(S

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON-ADV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TPCDS-BBE-2

TPCDS-BBE-2

Beschreibung: SWITCH DISCONNECT 3-125A 80VDC

Hersteller: Bussmann (Eaton)

vorrätig

TPCDS-BSE-2

TPCDS-BSE-2

Beschreibung: SWITCH DISCONNECT 3-125A 80VDC

Hersteller: Bussmann (Eaton)

vorrätig

TPCDS-BBM-2

TPCDS-BBM-2

Beschreibung: SWITCH DISCONNECT 3-125A 80VDC

Hersteller: Bussmann (Eaton)

vorrätig

TPCDS-BSE-3

TPCDS-BSE-3

Beschreibung: SWITCH DISCONNECT 3-125A 80VDC

Hersteller: Bussmann (Eaton)

vorrätig

TPCC8103(TE12L,QM)

TPCC8103(TE12L,QM)

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 18A 8TSON

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TPCC8003-H(TE12LQM

TPCC8003-H(TE12LQM

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.

Folgen Sie uns.

Terms & Bedingungen Verstoßpolitik Fordern Sie ein Angebot an Über uns Kontaktiere uns Seitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.