TPH1110FNH,L1Q

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Spezifikation

Artikelnummer

TPH1110FNH,L1Q
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 250V 15A 8-SOP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TPH1110FNH,L1Q.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 300µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SOP Advance (5x5)
Serie

U-MOSVIII-H
Rds On (Max) @ Id, Vgs

112 mOhm @ 5A, 10V
Verlustleistung (max)

1.6W (Ta), 57W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerVDFN
Andere Namen

TPH1110FNH,L1QCT
TPH1110FNH,L1QCT-ND
TPH1110FNHL1QCT
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

250V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 250V 10A (Ta) 1.6W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

10A (Ta)

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Das Folgende sind "TPH1110FNH,L1Q" -Einziper.

TPH-300

Beschreibung: FUSE CRTRDGE 300A 170VDC CYLINDR

Hersteller: Bussmann (Eaton)

vorrätig

TPH1110FNH,L1Q

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