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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > TPH14006NH,L1Q

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TPH14006NH,L1Q-Bild.

Toshiba Semiconductor and Storage

TPH14006NH,L1Q

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Spezifikation

Artikelnummer

TPH14006NH,L1Q
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TPH14006NH,L1Q.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 200µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SOP Advance (5x5)
Serie

U-MOSVIII-H
Rds On (Max) @ Id, Vgs

14 mOhm @ 7A, 10V
Verlustleistung (max)

1.6W (Ta), 32W (Tc)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

8-PowerVDFN
Andere Namen

TPH14006NHL1QDKR
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 14A (Ta) 1.6W (Ta), 32W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

14A (Ta)

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Das Folgende sind "TPH14006NH,L1Q" -Einziper.

TPH-80

Beschreibung: FUSE CRTRDGE 80A 170VDC CYLINDR

Hersteller: Bussmann (Eaton)

vorrätig

TPH-500

Beschreibung: FUSE CRTRDGE 500A 170VDC CYLINDR

Hersteller: Bussmann (Eaton)

vorrätig

TPH1110ENH,L1Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TPH1R712MD,L1Q

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP ADV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TPH2010FNH,L1Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TPH1R403NL,L1Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 60A 8-SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TPH1400ANH,L1Q

Beschreibung: MOSFET N CH 100V 24A 8-SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TPH2R608NH,L1Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 150A SOP8

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TPH-450

Beschreibung: FUSE CRTRDGE 450A 170VDC CYLINDR

Hersteller: Bussmann (Eaton)

vorrätig

TPH2R306NH,L1Q

Beschreibung: MOSFET N CH 60V 60A SOP ADV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TPH11003NL,LQ

Beschreibung: MOSFET N CH 30V 32A 8SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TPH1R005PL,L1Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 45V 150A

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TPH1110FNH,L1Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 15A 8-SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TPH1R204PL,L1Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 150A

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TPH2900ENH,L1Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 33A SOP8

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TPH-600

Beschreibung: FUSE CRTRDGE 600A 170VDC CYLINDR

Hersteller: Bussmann (Eaton)

vorrätig

TPH-70

Beschreibung: FUSE CRTRDGE 70A 170VDC CYLINDR

Hersteller: Bussmann (Eaton)

vorrätig

TPH12008NH,L1Q

Beschreibung: MOSFET N CH 80V 24A SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TPH11006NL,LQ

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 17A 8SOP

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TPH2R506PL,L1Q

Beschreibung: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

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