TPH4R008NH,L1Q

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Spezifikation

Artikelnummer

TPH4R008NH,L1Q
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N CH 80V 60A SOP ADV
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TPH4R008NH,L1Q.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-SOP Advance (5x5)
Serie

U-MOSVIII-H
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4 mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (max)

1.6W (Ta), 78W (Tc)
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerVDFN
Andere Namen

TPH4R008NHL1QCT
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5300pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

59nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

80V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 80V 60A (Tc) 1.6W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

60A (Tc)

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Das Folgende sind "TPH4R008NH,L1Q" -Einziper.

TPH3212PS

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 27A TO220

Hersteller: Transphorm

vorrätig

TPH4R008NH,L1Q

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