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2643704TPN1600ANH,L1Q-Bild.Toshiba Semiconductor and Storage

TPN1600ANH,L1Q

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    TPN1600ANH,L1Q
  • Hersteller / Marke
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    TPN1600ANH,L1Q.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 200µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-TSON Advance (3.3x3.3)
  • Serie
    U-MOSVIII-H
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    16 mOhm @ 8.5A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    700mW (Ta), 42W (Tc)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-PowerVDFN
  • Andere Namen
    TPN1600ANHL1QCT
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1600pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    19nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    100V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 100V 17A (Tc) 700mW (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    17A (Tc)

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Das Folgende sind "TPN1600ANH,L1Q" -Einziper.
TPN14006NH,L1Q

TPN14006NH,L1Q

Beschreibung: MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TPN2R304PL,L1Q

TPN2R304PL,L1Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 80A TSON

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TPN3R704PL,L1Q

TPN3R704PL,L1Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 80A TSON

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TPN11006NL,LQ

TPN11006NL,LQ

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TPN3021

TPN3021

Beschreibung: OVP TRIPOLAR NETWORK 28V 8-SOIC

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
TPN2010FNH,L1Q

TPN2010FNH,L1Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TPN1R603PL,L1Q

TPN1R603PL,L1Q

Beschreibung: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TPN1110ENH,L1Q

TPN1110ENH,L1Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TPN2R805PL,L1Q

TPN2R805PL,L1Q

Beschreibung: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TPN30008NH,LQ

TPN30008NH,LQ

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TPN11003NL,LQ

TPN11003NL,LQ

Beschreibung: MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TPN2R203NC,L1Q

TPN2R203NC,L1Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TPN3021RL

TPN3021RL

Beschreibung: THYRISTOR 28V 100A 8SOIC

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
TPN4R203NC,L1Q

TPN4R203NC,L1Q

Beschreibung: MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TPN22006NH,LQ

TPN22006NH,LQ

Beschreibung: MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TPN2R703NL,L1Q

TPN2R703NL,L1Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TPN4R303NL,L1Q

TPN4R303NL,L1Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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TPN2R503NC,L1Q

TPN2R503NC,L1Q

Beschreibung: MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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TPN3300ANH,LQ

TPN3300ANH,LQ

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
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TPN13008NH,L1Q

TPN13008NH,L1Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 40A 8TSON

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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