TPN4R203NC,L1Q

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Spezifikation

Artikelnummer

TPN4R203NC,L1Q
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TPN4R203NC,L1Q.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.3V @ 200µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-TSON Advance (3.3x3.3)
Serie

U-MOSVIII
Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.2 mOhm @ 11.5A, 10V
Verlustleistung (max)

700mW (Ta), 22W (Tc)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

8-PowerVDFN
Andere Namen

TPN4R203NCL1QDKR
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1370pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 23A (Ta) 700mW (Ta), 22W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

23A (Ta)

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Das Folgende sind "TPN4R203NC,L1Q" -Einziper.

TPN6R303NC,LQ

Beschreibung: MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TPN4R203NC,L1Q

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