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66366181N5620GPHE3/73-Bild.Vishay Semiconductor Diodes Division

1N5620GPHE3/73

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N5620GPHE3/73
  • Hersteller / Marke
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1N5620GPHE3/73.pdf
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    Standard
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1A
  • Spannung - Durchschlag
    DO-204AC (DO-15)
  • Serie
    SUPERECTIFIER®
  • RoHS Status
    Tape & Box (TB)
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Widerstand @ If, F
    20pF @ 12V, 1MHz
  • Polarisation
    DO-204AC, DO-15, Axial
  • Andere Namen
    1N5620GPHE3/73-ND
    1N5620GPHE373
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    2µs
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Teilenummer
    1N5620GPHE3/73
  • Expanded Beschreibung
    Diode Standard 800V 1A Through Hole DO-204AC (DO-15)
  • Diodenkonfiguration
    500nA @ 800V
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1.2V @ 1A
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    800V
  • Kapazität @ Vr, F
    -65°C ~ 175°C

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Das Folgende sind "1N5620GPHE3/73" -Einziper.
1N5620US

1N5620US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5620C.TR

1N5620C.TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N5619US

1N5619US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5619GPHE3/54

1N5619GPHE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5622GP-E3/54

1N5622GP-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
1N5622C.TR

1N5622C.TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N5621US

1N5621US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5622

1N5622

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
1N5619GP-E3/54

1N5619GP-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5622GP-E3/73

1N5622GP-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5618US

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5618GPHE3/54

1N5618GPHE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5621GP-E3/73

1N5621GP-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5619

1N5619

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5621

1N5621

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5621GP-E3/54

1N5621GP-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5620

1N5620

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5620GPHE3/54

1N5620GPHE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5619GP-E3/73

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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1N5621GPHE3/54

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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