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9682981N5618GPHE3/54-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

1N5618GPHE3/54

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N5618GPHE3/54
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1N5618GPHE3/54.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.2V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-204AC (DO-15)
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    SUPERECTIFIER®
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    2µs
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-204AC, DO-15, Axial
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 1A Through Hole DO-204AC (DO-15)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    500nA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    25pF @ 12V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    1N5618

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1N5617

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5618GP-E3/54

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
1N5617GP-E3/73

1N5617GP-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5617GPHE3/54

1N5617GPHE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5619GP-E3/73

1N5619GP-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO201AD

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5619US

1N5619US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5619GPHE3/54

1N5619GPHE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5616US

1N5616US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N5620GPHE3/54

1N5620GPHE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N5616C.TR

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
RFQ
1N5618US

1N5618US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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1N5620GPHE3/73

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
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1N5617C.TR

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 2A AXIAL

Hersteller: Semtech
vorrätig
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1N5617US

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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1N5620

1N5620

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
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1N5619GP-E3/54

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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1N5617GP-E3/54

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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1N5620C.TR

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Hersteller: Semtech
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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Hersteller: Microsemi
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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

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