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3277727BYM11-200-E3/96-Bild.Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-200-E3/96

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  • Artikelnummer
    BYM11-200-E3/96
  • Hersteller / Marke
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.BYM11-200-E3/96.pdf
    2.BYM11-200-E3/96.pdf
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    Standard
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1A
  • Spannung - Durchschlag
    DO-213AB
  • Serie
    SUPERECTIFIER®
  • RoHS Status
    Tape & Reel (TR)
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Widerstand @ If, F
    15pF @ 4V, 1MHz
  • Polarisation
    DO-213AB, MELF (Glass)
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    150ns
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    21 Weeks
  • Hersteller-Teilenummer
    BYM11-200-E3/96
  • Expanded Beschreibung
    Diode Standard 200V 1A Surface Mount DO-213AB
  • Diodenkonfiguration
    5µA @ 200V
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1.3V @ 1A
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    200V
  • Kapazität @ Vr, F
    -65°C ~ 175°C

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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
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Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

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BYM11-1000HE3_A/H

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

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BYM11-200HE3/96

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB

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BYM11-1000HE3_A/I

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

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