VS-2EFH01HM3/I

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Spezifikation

Artikelnummer

VS-2EFH01HM3/I
Hersteller / Marke

Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE GEN PURP 100V 2A DO-219AB
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

VS-2EFH01HM3/I.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Spitzensperr- (max)

Standard
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

2A
Spannung - Durchschlag

DO-219AB (SMF)
Serie

-
RoHS Status

-
Rückwärts-Erholzeit (Trr)

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Widerstand @ If, F

-
Polarisation

DO-219AB
Betriebstemperatur - Anschluss

16ns
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

11 Weeks
Hersteller-Teilenummer

VS-2EFH01HM3/I
Expanded Beschreibung

Diode Standard 100V 2A Surface Mount DO-219AB (SMF)
Diodenkonfiguration

2µA @ 100V
Beschreibung

DIODE GEN PURP 100V 2A DO-219AB
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

950mV @ 2A
Strom - Richt (Io) (pro Diode)

100V
Kapazität @ Vr, F

-65°C ~ 175°C

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Das Folgende sind "VS-2EFH01HM3/I" -Einziper.

VS-26MT60

Beschreibung: RECTIFIER BRIDGE 600V 25A D-63

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

VS-2EFH01HM3/I

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