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4615508W9412G6JH-5I-Bild.Winbond Electronics Corporation

W9412G6JH-5I

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    W9412G6JH-5I
  • Hersteller / Marke
    Winbond Electronics Corporation
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    W9412G6JH-5I.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    2.3 V ~ 2.7 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR
  • Supplier Device-Gehäuse
    66-TSOP II
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Andere Namen
    W9412G6JH5I
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    128Mb (8M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 200MHz 50ns 66-TSOP II
  • Uhrfrequenz
    200MHz
  • Zugriffszeit
    50ns

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W9412G6JH-4

W9412G6JH-4

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W9412G6KH-5 TR

W9412G6KH-5 TR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W9425G6EH-5

W9425G6EH-5

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W9425G6JB-5I

W9425G6JB-5I

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W9425G6KH-5

W9425G6KH-5

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W9425G6JB-5 TR

W9425G6JB-5 TR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W9425G6JB-5

W9425G6JB-5

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W9412G6KH-5I

W9412G6KH-5I

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W94-X112-20

W94-X112-20

Beschreibung: CIR BRKR

Hersteller: Agastat Relays / TE Connectivity
vorrätig
RFQ
W9425G6KH-5 TR

W9425G6KH-5 TR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W94-X113-30

W94-X113-30

Beschreibung: CIR BRKR MAG-HYDR 30A 277VAC

Hersteller: Agastat Relays / TE Connectivity
vorrätig
RFQ
W9412G6KH-4

W9412G6KH-4

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W94-X112-30V

W94-X112-30V

Beschreibung: CIR BRKR MAG-HYDR 30A 415VAC

Hersteller: Agastat Relays / TE Connectivity
vorrätig
RFQ
W9412G6KH-4 TR

W9412G6KH-4 TR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W9425G6KH-5I

W9425G6KH-5I

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W9425G6JB-5I TR

W9425G6JB-5I TR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
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W9412G6KH-5I TR

W9412G6KH-5I TR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W9425G6KH-4

W9425G6KH-4

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W9412G6KH-5

W9412G6KH-5

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W9412G6IH-5

W9412G6IH-5

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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