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23848W9425G6EH-5-Bild.Winbond Electronics Corporation

W9425G6EH-5

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    W9425G6EH-5
  • Hersteller / Marke
    Winbond Electronics Corporation
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    W9425G6EH-5.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    2.3 V ~ 2.7 V
  • Technologie
    SDRAM - DDR
  • Supplier Device-Gehäuse
    66-TSOP II
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    256Mb (16M x 16)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - DDR Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 250MHz 55ns 66-TSOP II
  • Uhrfrequenz
    250MHz
  • Zugriffszeit
    55ns

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Das Folgende sind "W9425G6EH-5" -Einziper.
W9425G6JB-5

W9425G6JB-5

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W9425G6JB-5 TR

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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W9412G6IH-5

W9412G6IH-5

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W9412G6KH-4 TR

W9412G6KH-4 TR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W9412G6JH-4

W9412G6JH-4

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W94-X113-30

W94-X113-30

Beschreibung: CIR BRKR MAG-HYDR 30A 277VAC

Hersteller: Agastat Relays / TE Connectivity
vorrätig
RFQ
W9425G6KH-5 TR

W9425G6KH-5 TR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W9412G6KH-5 TR

W9412G6KH-5 TR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W9412G6JH-5I

W9412G6JH-5I

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W9425G6KH-5

W9425G6KH-5

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W9425G6KH-5I TR

W9425G6KH-5I TR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
RFQ
W9425G6KH-4

W9425G6KH-4

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
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W9412G6KH-4

W9412G6KH-4

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
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W9425G6KH-5I

W9425G6KH-5I

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
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W9425G6JB-5I TR

W9425G6JB-5I TR

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
vorrätig
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W9464G6JH-4

W9464G6JH-4

Beschreibung: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W9425G6JB-5I

W9425G6JB-5I

Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W9412G6KH-5

W9412G6KH-5

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W9412G6KH-5I TR

W9412G6KH-5I TR

Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W9412G6KH-5I

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Beschreibung: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

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