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3559801W94AD2KBJX5I TR-Bild.Winbond Electronics Corporation

W94AD2KBJX5I TR

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  • Artikelnummer
    W94AD2KBJX5I TR
  • Hersteller / Marke
    Winbond Electronics Corporation
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    W94AD2KBJX5I TR.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    15ns
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • Supplier Device-Gehäuse
    90-VFBGA (8x13)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    90-TFBGA
  • Andere Namen
    W94AD2KBJX5I TR-ND
    W94AD2KBJX5ITR
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TC)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    1Gb (32M x 32)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 1Gb (32M x 32) Parallel 200MHz 5ns 90-VFBGA (8x13)
  • Uhrfrequenz
    200MHz
  • Zugriffszeit
    5ns

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Beschreibung: IC SDRAM 256MBIT 46NM 60BGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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Beschreibung: IC SDRAM 256MBIT 65NM 60BGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W949D6DBHX5E TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W949D6DBHX5I TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W94AD6KBHX5I TR

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W94AD2KBJX5E TR

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W949D2DBJX5I TR

W949D2DBJX5I TR

Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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Beschreibung: IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 90BGA

Hersteller: Winbond Electronics
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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA

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Beschreibung: IC SDRAM 256MBIT 65NM 60BGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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Beschreibung: IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W948D6KBHX5I

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Beschreibung: IC SDRAM 256MBIT 46NM 60BGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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Beschreibung: IC SDRAM 256MBIT 46NM 60BGA

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