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6630627W949D2DBJX5I-Bild.Winbond Electronics

W949D2DBJX5I

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    W949D2DBJX5I
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 90BGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Durchschlag
    90-VFBGA (8x13)
  • Standards
    Volatile
  • Software
    512Mb (16M x 32)
  • Gehäuseausführung
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Serie
    -
  • RoHS Status
    Tray
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    200MHz
  • Polarisation
    90-TFBGA
  • Ausgangsisolierung
    DRAM
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Hersteller-Teilenummer
    W949D2DBJX5I
  • Schnittstelle
    Parallel
  • Beschreibung
    IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 90BGA
W94AD2KBJX5I TR

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W949D2DBJX5I TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W94AD6KBHX5E

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Beschreibung: IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W949D6DBHX5E TR

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA

Hersteller: Winbond Electronics Corporation
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W948D6FBHX5J

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Beschreibung: IC SDRAM 256MBIT 65NM 60BGA

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Beschreibung: IC SDRAM 256MBIT 46NM 60BGA

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W948D6FBHX6G

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W948D6FBHX6E TR

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