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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 1N4150
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70512301N4150-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

1N4150

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N4150
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1N4150.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1V @ 200mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    50V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-35
  • Geschwindigkeit
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    6ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    175°C (Max)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 50V 200mA Through Hole DO-35
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    100nA @ 50V
  • Strom - Richt (Io)
    200mA
  • Kapazität @ Vr, F
    2.5pF @ 0V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    1N4150

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Das Folgende sind "1N4150" -Einziper.
1N4148X-TP

1N4148X-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD523

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
1N4148_T26R

1N4148_T26R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4148_S62Z

1N4148_S62Z

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4149_T50R

1N4149_T50R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 500MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4150W-E3-08

1N4150W-E3-08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4148_L99Z

1N4148_L99Z

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4150TR

1N4150TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4149

1N4149

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 500MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4149TR

1N4149TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 500MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4150TAP

1N4150TAP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 150MA DO35

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4149

1N4149

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N4150UR-1

1N4150UR-1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N4148_S00Z

1N4148_S00Z

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4148_NT50A

1N4148_NT50A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4150-1

1N4150-1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N4150W-G3-08

1N4150W-G3-08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4150W-E3-18

1N4150W-E3-18

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4150 TR

1N4150 TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4150TR

1N4150TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4150TR_S00Z

1N4150TR_S00Z

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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