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3325871N4150TR-Bild.Fairchild/ON Semiconductor

1N4150TR

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    1N4150TR
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  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    Standard
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    200mA
  • Spannung - Durchschlag
    DO-35
  • Serie
    -
  • RoHS Status
    Tape & Reel (TR)
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Widerstand @ If, F
    2.5pF @ 0V, 1MHz
  • Polarisation
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    6ns
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Teilenummer
    1N4150TR
  • Expanded Beschreibung
    Diode Standard 50V 200mA Through Hole DO-35
  • Diodenkonfiguration
    100nA @ 50V
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1V @ 200mA
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    50V
  • Kapazität @ Vr, F
    175°C (Max)
1N4150W-HE3-18

1N4150W-HE3-18

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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1N4148_T26R

1N4148_T26R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
1N4150_T26A

1N4150_T26A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
1N4150_S62Z

1N4150_S62Z

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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1N4149

1N4149

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 500MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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1N4150W-E3-18

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Beschreibung:

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N4150TR

1N4150TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N4150W-G3-18

1N4150W-G3-18

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N4150W-E3-08

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Beschreibung:

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N4149

1N4149

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N4150 TR

1N4150 TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
1N4149TR

1N4149TR

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
1N4150TR_S00Z

1N4150TR_S00Z

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
1N4150TAP

1N4150TAP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 150MA DO35

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
1N4150UR-1

1N4150UR-1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
1N4150W-HE3-08

1N4150W-HE3-08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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1N4149_T50R

1N4149_T50R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 500MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
1N4150-1

1N4150-1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Hersteller: Microsemi
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1N4150

1N4150

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
1N4150W-G3-08

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123

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