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1163451N4448TR_S00Z-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

1N4448TR_S00Z

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N4448TR_S00Z
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1N4448TR_S00Z.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1V @ 100mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    100V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-35
  • Geschwindigkeit
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    4ns
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 100V 200mA Through Hole DO-35
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 75V
  • Strom - Richt (Io)
    200mA
  • Kapazität @ Vr, F
    2pF @ 0V, 1MHz

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Das Folgende sind "1N4448TR_S00Z" -Einziper.
1N4448W-7

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N4448TAP

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4448W-G3-08

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4448W-E3-18

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4448HWS-7-F

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N4448W-TP

1N4448W-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
1N4448HWS-13-F

1N4448HWS-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N4448W-HE3-18

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4448HLP-7

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 125MA 2DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N4448TR

1N4448TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4448HWS-7

1N4448HWS-7

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N4448-T

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N4448-TP

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
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1N4448HWT-7

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 125MA SOD523

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
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1N4448W-7-F

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
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1N4448W-G3-18

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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1N4448TR

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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1N4448W-HE3-08

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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1N4448W-E3-08

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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1N4448W RHG

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123F

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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