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30219031N4448TR-Bild.Electro-Films (EFI) / Vishay

1N4448TR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N4448TR
  • Hersteller / Marke
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1N4448TR.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1V @ 100mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    100V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-35
  • Geschwindigkeit
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    8ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Andere Namen
    1N4448VSTR
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    175°C (Max)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 100V 150mA Through Hole DO-35
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 75V
  • Strom - Richt (Io)
    150mA
  • Kapazität @ Vr, F
    4pF @ 0V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    1N4448

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1N4448HWS-7

1N4448HWS-7

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N4448W-E3-08

1N4448W-E3-08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4448HWT-7

1N4448HWT-7

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 125MA SOD523

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N4448-T

1N4448-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N4448TR

1N4448TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4448HWS-13-F

1N4448HWS-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N4448-TP

1N4448-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
1N4448W-HE3-08

1N4448W-HE3-08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4448TAP

1N4448TAP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4448W-G3-18

1N4448W-G3-18

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4448W-7

1N4448W-7

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N4448W RHG

1N4448W RHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123F

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N4448TR_S00Z

1N4448TR_S00Z

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4448HWS-7-F

1N4448HWS-7-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N4448W-G3-08

1N4448W-G3-08

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4448W-7-F

1N4448W-7-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N4448W-E3-18

1N4448W-E3-18

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4448HLP-7

1N4448HLP-7

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 125MA 2DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N4448W-HE3-18

1N4448W-HE3-18

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N4448-T

1N4448-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 500MA DO35

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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