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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 1N4448HLP-7

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4957950

1N4448HLP-7-Bild.

Diodes Incorporated

1N4448HLP-7

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Spezifikation

Artikelnummer

1N4448HLP-7
Hersteller / Marke

Diodes Incorporated
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE GEN PURP 80V 125MA 2DFN
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1N4448HLP-7.pdf
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

1V @ 100mA
Spannung - Sperr (Vr) (max)

80V
Supplier Device-Gehäuse

X1-DFN1006-2
Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Serie

-
Rückwärts-Erholzeit (Trr)

4ns
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

0402 (1006 Metric)
Andere Namen

1N4448HLP-CT
1N4448HLP-CT-ND
1N4448HLP-FCT
1N4448HLP-FCT-ND
1N4448HLPDICT
Betriebstemperatur - Anschluss

-65°C ~ 150°C
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

20 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp

Standard
detaillierte Beschreibung

Diode Standard 80V 125mA Surface Mount X1-DFN1006-2
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

100nA @ 80V
Strom - Richt (Io)

125mA
Kapazität @ Vr, F

3pF @ 0.5V, 1MHz
Basisteilenummer

1N4448H

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Das Folgende sind "1N4448HLP-7" -Einziper.

1N4448 BK

1N4448 BK

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Hersteller: Central Semiconductor

vorrätig

1N4448,133

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2

Hersteller: Nexperia

vorrätig

1N4448,113

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale

vorrätig

1N4448-A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 500MA DO35

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

1N4448W RHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123F

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

1N4448HWS-7

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

1N4448-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)

vorrätig

1N4448-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

1N4448-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 500MA DO35

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

1N4448 A0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

1N4448TAP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA DO35

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

1N4448HWS-7-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

1N4448 TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Hersteller: Central Semiconductor Corp

vorrätig

1N4448TR_S00Z

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

1N4448TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

1N4448W-7

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

1N4448TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

1N4448HWS-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 250MA SOD323

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

1N4448,143

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale

vorrätig

1N4448HWT-7

Beschreibung: DIODE GEN PURP 80V 125MA SOD523

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

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