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39714551N914BTR-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

1N914BTR

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$0.01
100000+
$0.009
250000+
$0.008
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N914BTR
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1N914BTR.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1V @ 100mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    100V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-35
  • Geschwindigkeit
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    4ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Andere Namen
    1N914BTRTR
    1N914BTRTR-ND
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -65°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    22 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 100V 200mA Through Hole DO-35
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 75V
  • Strom - Richt (Io)
    200mA
  • Kapazität @ Vr, F
    4pF @ 0V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    1N914B

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Das Folgende sind "1N914BTR" -Einziper.
1N914BTR_S00Z

1N914BTR_S00Z

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N914B_S00Z

1N914B_S00Z

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N914B,113

1N914B,113

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
1N914BWS RRG

1N914BWS RRG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 150MA SOD323

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N914ATR

1N914ATR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N914A_T50R

1N914A_T50R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N914B_S62Z

1N914B_S62Z

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N914BW RHG

1N914BW RHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123F

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N914B_T50A

1N914B_T50A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N914BWS

1N914BWS

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323F

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N914TAP

1N914TAP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 300MA DO35

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N914-TP

1N914-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
1N914B

1N914B

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N914B_T50R

1N914B_T50R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N914BWT

1N914BWT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD523F

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N914

1N914

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
1N914B A0G

1N914B A0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N914-T50A

1N914-T50A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N914B-TP

1N914B-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
1N914A

1N914A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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