Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 1N914BTR_S00Z
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
17269091N914BTR_S00Z-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

1N914BTR_S00Z

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    1N914BTR_S00Z
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1N914BTR_S00Z.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1V @ 100mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    100V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-35
  • Geschwindigkeit
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    4ns
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-204AH, DO-35, Axial
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 100V 200mA Through Hole DO-35
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 75V
  • Strom - Richt (Io)
    200mA
  • Kapazität @ Vr, F
    4pF @ 0V, 1MHz

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "1N914BTR_S00Z" -Einziper.
1N914BTR

1N914BTR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N914B_T50A

1N914B_T50A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N914A

1N914A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N914B-TP

1N914B-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
1N914-TP

1N914-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
1N914B_T50R

1N914B_T50R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N914B A0G

1N914B A0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 150MA DO35

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N914TAP

1N914TAP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 300MA DO35

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N914ATR

1N914ATR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N914BWT

1N914BWT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD523F

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N914B_S00Z

1N914B_S00Z

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N914BWS

1N914BWS

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323F

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N914B_S62Z

1N914B_S62Z

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N914BWS RRG

1N914BWS RRG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 150MA SOD323

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N914A_T50R

1N914A_T50R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N914TR

1N914TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
1N914B

1N914B

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N914BW RHG

1N914BW RHG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123F

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N914-T50A

1N914-T50A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N914B,113

1N914B,113

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.