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24125543LN01C-TB-H-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

3LN01C-TB-H

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    3LN01C-TB-H
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    3LN01C-TB-H.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    -
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    3-CP
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.7 Ohm @ 80mA, 4V
  • Verlustleistung (max)
    250mW (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    7pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.58nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 30V 150mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount 3-CP
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    150mA (Ta)

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Das Folgende sind "3LN01C-TB-H" -Einziper.
IXTC75N10

IXTC75N10

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 72A ISOPLUS220

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IRL3803STRRPBF

IRL3803STRRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
3LN01S-TL-E

3LN01S-TL-E

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 150MA SMCP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
3LN01M-TL-H

3LN01M-TL-H

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 150MA MCP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
3LN01M-TL-E

3LN01M-TL-E

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 0.15A

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IXFH36N60P

IXFH36N60P

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 36A TO-247

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
FDZ298N

FDZ298N

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 6A BGA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IXTT140N10P

IXTT140N10P

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 140A TO-268

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
DMP2021UFDF-7

DMP2021UFDF-7

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
IRFHM4231TRPBF

IRFHM4231TRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 40A PQFN

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPN80R2K4P7ATMA1

IPN80R2K4P7ATMA1

Beschreibung: COOLMOS P7 800V SOT-223

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
PHD36N03LT,118

PHD36N03LT,118

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 43.4A DPAK

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
FQAF6N80

FQAF6N80

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 4.4A TO-3PF

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
2N7225

2N7225

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V TO-254AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
STB7NK80Z-1

STB7NK80Z-1

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
IRF7483MTRPBF

IRF7483MTRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 135A

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
3LN01SS-TL-H

3LN01SS-TL-H

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 150MA SMCP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
3LN01S-K-TL-E

3LN01S-K-TL-E

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 0.15A

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
3LN01SS-TL-E

3LN01SS-TL-E

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 0.15A SSFP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
3LN01C-TB-E

3LN01C-TB-E

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
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