3LN01M-TL-H

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Spezifikation

Artikelnummer

3LN01M-TL-H
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 150MA MCP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

3LN01M-TL-H.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

-
Vgs (Max)

±10V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SC-70/MCPH3
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.7 Ohm @ 80mA, 4V
Verlustleistung (max)

150mW (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SC-70, SOT-323
Andere Namen

3LN01M-TL-H-ND
3LN01M-TL-HOSTR
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.58nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 150mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount SC-70/MCPH3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

150mA (Ta)

Das Folgende sind "3LN01M-TL-H" -Einziper.

FQP4N20

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 3.6A TO-220

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

3LN01C-TB-E

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

IRFS4020TRLPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RFQ

3LN01M-TL-E

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 0.15A

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

FQB13N10LTM

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

STP20N20

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 18A TO-220

Hersteller: STMicroelectronics

vorrätig

RFQ

3LN01SS-TL-H

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 150MA SMCP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

NTB85N03T4G

Beschreibung: MOSFET N-CH 28V 85A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

BSD316SNH6327XTSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RFQ

3LN01C-TB-H

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

3LN01SS-TL-E

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 0.15A SSFP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

SSR1N60BTM_F080

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

2SK2731T146

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 200MA SOT-346

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFQ

IPB144N12N3GATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 120V 56A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RFQ

3LN01S-K-TL-E

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 0.15A

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

PSMN4R4-80BS,118

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK

Hersteller: Nexperia

vorrätig

RFQ

IRF3805S-7PPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 160A D2PAK-7

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RFQ

IPB048N15N5LFATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RFQ

IPS80R1K4P7AKMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 4A IPAK-SL

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RFQ

3LN01S-TL-E

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 150MA SMCP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

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FQB13N10LTM

STP20N20

3LN01SS-TL-H

NTB85N03T4G

BSD316SNH6327XTSA1

3LN01C-TB-H

3LN01SS-TL-E

SSR1N60BTM_F080

2SK2731T146

IPB144N12N3GATMA1

3LN01S-K-TL-E

PSMN4R4-80BS,118

IRF3805S-7PPBF

IPB048N15N5LFATMA1

IPS80R1K4P7AKMA1

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