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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > BAS16L,315
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6496880BAS16L,315-Bild.Nexperia

BAS16L,315

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vorrätig
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30000+
$0.057
50000+
$0.051
100000+
$0.05
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    BAS16L,315
  • Hersteller / Marke
    Nexperia
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD882
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    BAS16L,315.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.25V @ 150mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    100V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DFN1006-2
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    4ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOD-882
  • Andere Namen
    1727-4232-2
    568-4859-2
    568-4859-2-ND
    934057247315
    BAS16L T/R
    BAS16L T/R-ND
    BAS16L,315-ND
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    150°C (Max)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    8 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 100V 215mA (DC) Surface Mount DFN1006-2
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    500nA @ 80V
  • Strom - Richt (Io)
    215mA (DC)
  • Kapazität @ Vr, F
    1.5pF @ 0V, 1MHz
  • Basisteilenummer
    BAS16L

New ICs From Rohm, Toshiba, and Nexperia Target Automotive ...

2024/10/9
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Zahlung
Das Folgende sind "BAS16L,315" -Einziper.
BAS16SH6727XTSA1

BAS16SH6727XTSA1

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT363

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BAS16LT3G

BAS16LT3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BAS16J,115

BAS16J,115

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
BAS16HMFHT116

BAS16HMFHT116

Beschreibung: HIGH RELIABILITY AND SMALL MOLD

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
BAS16M3T5G

BAS16M3T5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT723

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BAS16HT3G

BAS16HT3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BAS16HTWQ-13

BAS16HTWQ-13

Beschreibung: DIODE FS 100V 200MA SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BAS16HT1G

BAS16HT1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 85V 200MA SOD323

Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BAS16HT1

BAS16HT1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BAS16SE6327BTSA1

BAS16SE6327BTSA1

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT363

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BAS16LP-7

BAS16LP-7

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 200MA 2DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BAS16SH6327XTSA1

BAS16SH6327XTSA1

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT363

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BAS16QAZ

BAS16QAZ

Beschreibung: DIODE GP 100V 290MA DFN1010D-3

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
BAS16P2T5G

BAS16P2T5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD923

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BAS16J,135

BAS16J,135

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
BAS16HTWQ-13R

BAS16HTWQ-13R

Beschreibung: DIODE FS 100V 200MA SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BAS16LD,315

BAS16LD,315

Beschreibung: DIODE GP 100V 215MA SOD882D

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
BAS16HT1G

BAS16HT1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BAS16HTW-13

BAS16HTW-13

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BAS16LT1G

BAS16LT1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
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