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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > BAS16LT1G

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973659

BAS16LT1G-Bild.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

BAS16LT1G

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Spezifikation

Artikelnummer

BAS16LT1G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

BAS16LT1G.pdf
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

1.25V @ 150mA
Spannung - Sperr (Vr) (max)

100V
Supplier Device-Gehäuse

SOT-23-3 (TO-236)
Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Serie

-
Rückwärts-Erholzeit (Trr)

6ns
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

BAS16LT1GOSTR
Betriebstemperatur - Anschluss

-55°C ~ 150°C
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

36 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp

Standard
detaillierte Beschreibung

Diode Standard 100V 200mA (DC) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

1µA @ 100V
Strom - Richt (Io)

200mA (DC)
Kapazität @ Vr, F

2pF @ 0V, 1MHz
Basisteilenummer

BAS16

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Das Folgende sind "BAS16LT1G" -Einziper.

BAS16L,315

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD882

Hersteller: Nexperia

vorrätig

BAS16P2T5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD923

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

BAS16HT3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD323

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

BAS16HTW-13

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

BAS16J,135

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323

Hersteller: Nexperia

vorrätig

BAS16SH6727XTSA1

BAS16SH6727XTSA1

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT363

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

BAS16QAZ

Beschreibung: DIODE GP 100V 290MA DFN1010D-3

Hersteller: Nexperia

vorrätig

BAS16LT3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

BAS16J,115

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323

Hersteller: Nexperia

vorrätig

BAS16SL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 85V 150MA SOD923

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

BAS16HTWQ-13

Beschreibung: DIODE FS 100V 200MA SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

BAS16SE6327BTSA1

BAS16SE6327BTSA1

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT363

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

BAS16SH6327XTSA1

BAS16SH6327XTSA1

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT363

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

BAS16T,115

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 155MA SC75

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale

vorrätig

BAS16LD,315

Beschreibung: DIODE GP 100V 215MA SOD882D

Hersteller: Nexperia

vorrätig

BAS16HTWQ-13R

Beschreibung: DIODE FS 100V 200MA SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

BAS16HT1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 85V 200MA SOD323

Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor

vorrätig

BAS16T-7-F

Beschreibung: DIODE GP 85V 75MA SOT523

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

BAS16LP-7

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 200MA 2DFN

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

BAS16M3T5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT723

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

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