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5787555BAS16M3T5G-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

BAS16M3T5G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    BAS16M3T5G
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT723
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    BAS16M3T5G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.25V @ 150mA
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    100V
  • Supplier Device-Gehäuse
    SOT-723
  • Geschwindigkeit
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    6ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-723
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    6 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 100V 200mA (DC) Surface Mount SOT-723
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1µA @ 100V
  • Strom - Richt (Io)
    200mA (DC)
  • Kapazität @ Vr, F
    2pF @ 0V, 1MHz

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Das Folgende sind "BAS16M3T5G" -Einziper.
BAS16SH6327XTSA1

BAS16SH6327XTSA1

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT363

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BAS16L,315

BAS16L,315

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 215MA SOD882

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
BAS16T-7-F

BAS16T-7-F

Beschreibung: DIODE GP 85V 75MA SOT523

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BAS16HTW-13

BAS16HTW-13

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 100V 200MA SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BAS16SL

BAS16SL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 85V 150MA SOD923

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BAS16T,115

BAS16T,115

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 155MA SC75

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
BAS16LP-7

BAS16LP-7

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 200MA 2DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BAS16LD,315

BAS16LD,315

Beschreibung: DIODE GP 100V 215MA SOD882D

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
BAS16SE6327BTSA1

BAS16SE6327BTSA1

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT363

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BAS16J,115

BAS16J,115

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
BAS16T-TP

BAS16T-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 85V 75MA SOT523

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
BAS16P2T5G

BAS16P2T5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD923

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BAS16J,135

BAS16J,135

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
BAS16LT3G

BAS16LT3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BAS16TA

BAS16TA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BAS16SH6727XTSA1

BAS16SH6727XTSA1

Beschreibung: DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT363

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BAS16QAZ

BAS16QAZ

Beschreibung: DIODE GP 100V 290MA DFN1010D-3

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
BAS16HTWQ-13

BAS16HTWQ-13

Beschreibung: DIODE FS 100V 200MA SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
BAS16LT1G

BAS16LT1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BAS16HTWQ-13R

BAS16HTWQ-13R

Beschreibung: DIODE FS 100V 200MA SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated
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