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99207DSK10E-BT-Bild.ON Semiconductor

DSK10E-BT

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DSK10E-BT
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DSK10E-BT.pdf
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    Standard
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1A
  • Spannung - Durchschlag
    -
  • Serie
    -
  • RoHS Status
    Tape & Reel (TR)
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Widerstand @ If, F
    -
  • Polarisation
    R-1 (Axial)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Teilenummer
    DSK10E-BT
  • Expanded Beschreibung
    Diode Standard 400V 1A Through Hole
  • Diodenkonfiguration
    10µA @ 400V
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1.1V @ 1A
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    400V
  • Kapazität @ Vr, F
    150°C (Max)

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Zahlung
Das Folgende sind "DSK10E-BT" -Einziper.
DSK5J01P0L

DSK5J01P0L

Beschreibung: JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
DSK10C

DSK10C

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
DSK10E

DSK10E

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
DSK10C-AT1

DSK10C-AT1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
DSK-3R3H204T614-H2L

DSK-3R3H204T614-H2L

Beschreibung: CAP 200MF -20% +80% 3.3V SMD

Hersteller: Elna America
vorrätig
RFQ
DSK10B-AT1

DSK10B-AT1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
DSK10B-BT

DSK10B-BT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
DSK-3R3H703T414-HLL

DSK-3R3H703T414-HLL

Beschreibung: CAP 70MF -20% +80% 3.3V SMD

Hersteller: Elna America
vorrätig
RFQ
DSK10C-BT

DSK10C-BT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
DSK-3R3H703T414-HRL

DSK-3R3H703T414-HRL

Beschreibung: CAP 70MF -20% +80% 3.3V SMD

Hersteller: Elna America
vorrätig
RFQ
DSK5J01Q0L

DSK5J01Q0L

Beschreibung: JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
HFA06TB120STRL

HFA06TB120STRL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 6A D2PAK

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
DSK10E-ET1

DSK10E-ET1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
DSK10C-ET1

DSK10C-ET1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
DSK-3R3H334T-HL

DSK-3R3H334T-HL

Beschreibung: CAP 330MF -20% +80% 3.3V SMD

Hersteller: Elna America
vorrätig
RFQ
S3GB R5G

S3GB R5G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
DSK10B

DSK10B

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
DSK10E-AT1

DSK10E-AT1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
DSK9J01P0L

DSK9J01P0L

Beschreibung: JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI3

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
DSK-3R3H224U-HL

DSK-3R3H224U-HL

Beschreibung: CAP 220MF -20% +80% 3.3V SMD

Hersteller: Elna America
vorrätig
RFQ
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