Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > DSK10E-ET1
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
2679346DSK10E-ET1-Bild.ON Semiconductor

DSK10E-ET1

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    DSK10E-ET1
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DSK10E-ET1.pdf
  • Spannung - Spitzensperr- (max)
    Standard
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1A
  • Spannung - Durchschlag
    -
  • Serie
    -
  • RoHS Status
    Tape & Reel (TR)
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Widerstand @ If, F
    -
  • Polarisation
    R-1 (Axial)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller-Teilenummer
    DSK10E-ET1
  • Expanded Beschreibung
    Diode Standard 400V 1A Through Hole
  • Diodenkonfiguration
    10µA @ 400V
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    1.1V @ 1A
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    400V
  • Kapazität @ Vr, F
    150°C (Max)

Anthropic erhält eine weitere Investition von 4 Milliarden...

2024/11/23

SEMI: Der Umsatz von IC im dritten Quartal um 12%, das ...

2024/11/22

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "DSK10E-ET1" -Einziper.
DSK-3R3H703T414-HRL

DSK-3R3H703T414-HRL

Beschreibung: CAP 70MF -20% +80% 3.3V SMD

Hersteller: Elna America
vorrätig
RFQ
SS34 V7G

SS34 V7G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 3A 40V DO-214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
DSK10C-ET1

DSK10C-ET1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
DSK-3R3H204T614-H2L

DSK-3R3H204T614-H2L

Beschreibung: CAP 200MF -20% +80% 3.3V SMD

Hersteller: Elna America
vorrätig
RFQ
DSK10B-AT1

DSK10B-AT1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
DSK10B-BT

DSK10B-BT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
DSK10B

DSK10B

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
DSK-3R3H703T414-HLL

DSK-3R3H703T414-HLL

Beschreibung: CAP 70MF -20% +80% 3.3V SMD

Hersteller: Elna America
vorrätig
RFQ
DSK9J01P0L

DSK9J01P0L

Beschreibung: JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI3

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
DSK10E-BT

DSK10E-BT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
DSK-3R3H334T-HL

DSK-3R3H334T-HL

Beschreibung: CAP 330MF -20% +80% 3.3V SMD

Hersteller: Elna America
vorrätig
RFQ
DSK5J01Q0L

DSK5J01Q0L

Beschreibung: JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
DSK-3R3H224U-HL

DSK-3R3H224U-HL

Beschreibung: CAP 220MF -20% +80% 3.3V SMD

Hersteller: Elna America
vorrätig
RFQ
HERAF1605G C0G

HERAF1605G C0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 16A ITO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
DSK10E

DSK10E

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
DSK10C-BT

DSK10C-BT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
DSK10C-AT1

DSK10C-AT1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
DSK10E-AT1

DSK10E-AT1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
DSK10C

DSK10C

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
DSK5J01P0L

DSK5J01P0L

Beschreibung: JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.