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2888818DSK5J01Q0L-Bild.Panasonic

DSK5J01Q0L

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DSK5J01Q0L
  • Hersteller / Marke
    Panasonic
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DSK5J01Q0L.pdf
  • Spannung - Cutoff (VGS off) @ Id
    5V @ 10µA
  • Supplier Device-Gehäuse
    SMini3-F2-B
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    150mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SC-85
  • Andere Namen
    DSK5J01Q0LTR
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    11 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    6pF @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    55V
  • detaillierte Beschreibung
    JFET N-Channel 30mA 150mW Surface Mount SMini3-F2-B
  • Aktuelle Drain (Id) - Max
    30mA
  • Strom - Drain (Idss) @ Vds (VGS = 0)
    2mA @ 10V
  • Basisteilenummer
    DSK5J01

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Das Folgende sind "DSK5J01Q0L" -Einziper.
2N4416

2N4416

Beschreibung: JFET N-CH 30V 0.3W TO-206AF

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
DSK-3R3H703T414-HRL

DSK-3R3H703T414-HRL

Beschreibung: CAP 70MF -20% +80% 3.3V SMD

Hersteller: Elna America
vorrätig
RFQ
DSK10E

DSK10E

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
DSK10E-AT1

DSK10E-AT1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
DSK10B

DSK10B

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
DSK10C-ET1

DSK10C-ET1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
DSK10B-AT1

DSK10B-AT1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
DSK10C-AT1

DSK10C-AT1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
DSK-3R3H703T414-HLL

DSK-3R3H703T414-HLL

Beschreibung: CAP 70MF -20% +80% 3.3V SMD

Hersteller: Elna America
vorrätig
RFQ
DSK-3R3H224U-HL

DSK-3R3H224U-HL

Beschreibung: CAP 220MF -20% +80% 3.3V SMD

Hersteller: Elna America
vorrätig
RFQ
DSK10B-BT

DSK10B-BT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
DSK-3R3H334T-HL

DSK-3R3H334T-HL

Beschreibung: CAP 330MF -20% +80% 3.3V SMD

Hersteller: Elna America
vorrätig
RFQ
DSK10E-BT

DSK10E-BT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
DSK5J01P0L

DSK5J01P0L

Beschreibung: JFET N-CH 30MA 150MW SMINI3-F2-B

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
2SK880-BL(TE85L,F)

2SK880-BL(TE85L,F)

Beschreibung: JFET N-CH 50V 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
DSK10E-ET1

DSK10E-ET1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
DSK-3R3H204T614-H2L

DSK-3R3H204T614-H2L

Beschreibung: CAP 200MF -20% +80% 3.3V SMD

Hersteller: Elna America
vorrätig
RFQ
DSK9J01P0L

DSK9J01P0L

Beschreibung: JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI3

Hersteller: Panasonic
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RFQ
DSK10C

DSK10C

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
DSK10C-BT

DSK10C-BT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Hersteller: ON Semiconductor
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