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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biased > DTC123EET1G

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DTC123EET1G-Bild.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

DTC123EET1G

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Spezifikation

Artikelnummer

DTC123EET1G
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

DTC123EET1G.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 5mA, 10mA
Transistor-Typ

NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

SC-75, SOT-416
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

2.2 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

2.2 kOhms
Leistung - max

200mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SC-75, SOT-416
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount SC-75, SOT-416
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

8 @ 5mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA
Basisteilenummer

DTC123

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Das Folgende sind "DTC123EET1G" -Einziper.

DTC115TKAT146

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTC123EMT2L

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTC123JEBTL

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3F

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTC123JET1G

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

DTC115TETL

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTC123EET1

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

DTC115TM3T5G

DTC115TM3T5G

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.26W SOT723

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

DTC123ECAHZGT116

DTC123ECAHZGT116

Beschreibung: NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTC123EM3T5G

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 260MW SOT723

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

DTC123JCAT116

Beschreibung: NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTC123EUAT106

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTC123ECAT116

Beschreibung: NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTC115TET1G

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SC75

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

DTC123JET1

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

DTC115TUAT106

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTC115TMT2L

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTC123EKAT146

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTC123EETL

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTC123JE-TP

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 300MW SOT523

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)

vorrätig

DTC115GUAT106

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

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