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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biased > DTC115TUAT106

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DTC115TUAT106-Bild.

LAPIS Semiconductor

DTC115TUAT106

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Spezifikation

Artikelnummer

DTC115TUAT106
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.DTC115TUAT106.pdf
2.DTC115TUAT106.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 100µA, 1mA
Transistor-Typ

NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

UMT3
Serie

-
Widerstand - Basis (R1)

100 kOhms
Leistung - max

200mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SC-70, SOT-323
Andere Namen

DTC115TUAT106-ND
DTC115TUAT106TR
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

250MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

100 @ 1mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA
Basisteilenummer

DTC115

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Das Folgende sind "DTC115TUAT106" -Einziper.

DTC123EET1

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

DTC123JCAT116

Beschreibung: NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTC123EETL

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTC123ECAHZGT116

DTC123ECAHZGT116

Beschreibung: NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTC115TET1G

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SC75

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

DTC115GKAT146

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTC115TETL

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTC123EET1G

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

DTC115EMT2L

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTC123EUAT106

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTC115GUAT106

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTC115EUAT106

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTC123EMT2L

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTC115TKAT146

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTC115TM3T5G

DTC115TM3T5G

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.26W SOT723

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

DTC115EM3T5G

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 260MW SOT723

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

DTC123EM3T5G

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 260MW SOT723

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

DTC115TMT2L

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTC123ECAT116

Beschreibung: NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTC123EKAT146

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

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