ECH8309-TL-H

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Spezifikation

Artikelnummer

ECH8309-TL-H
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

ECH8309-TL-H.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

-
Vgs (Max)

±10V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-ECH
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

16 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Verlustleistung (max)

1.5W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SMD, Flat Lead
Andere Namen

ECH8309-TL-H-ND
ECH8309-TL-HOSTR
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

7 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1780pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 4.5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

12V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 12V 9.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-ECH
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

9.5A (Ta)

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Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

2025/03/31

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Das Folgende sind "ECH8309-TL-H" -Einziper.

ECH8308-P-TL-H

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 10A ECH8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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