ECH8310-TL-H

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Spezifikation

Artikelnummer

ECH8310-TL-H
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CH 30V 9A ECH8
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

ECH8310-TL-H.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

-
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-ECH
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

17 mOhm @ 4.5A, 10V
Verlustleistung (max)

1.5W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-SMD, Flat Lead
Andere Namen

ECH8310-TL-H-ND
ECH8310-TL-HOSTR
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

4 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 30V 9A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-ECH
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

9A (Ta)

Das Folgende sind "ECH8310-TL-H" -Einziper.

ECH8102-TL-H

Beschreibung: TRANS PNP 30V 12A ECH8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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RFQ

ECH8419-TL-H

Beschreibung: MOSFET N-CH 35V 9A ECH8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

ECH8308-TL-H

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 10A ECH8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

ECH8601M-C-TL-H

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 24V 8A ECH8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

ECH3010NPAT-1

Beschreibung: SEN PROX M30 NPN 10MM PTFE

Hersteller: Carlo Gavazzi

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RFQ

ECH8320-TL-H

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 9.5A ECH8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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RFQ

ECH-U1H823GX9

Beschreibung: CAP FILM 0.082UF 2% 50VDC 1913

Hersteller: Panasonic

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RFQ

ECH8410-TL-H

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12A ECH8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

ECH-U1H823GC9

Beschreibung: CAP FILM 0.082UF 2% 50VDC 1913

Hersteller: Panasonic

vorrätig

RFQ

ECH8503-TL-H

Beschreibung: TRANS 2PNP 50V 5A 8ECH

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

ECH-U1H823JC9

Beschreibung: CAP FILM 0.082UF 5% 50VDC 1913

Hersteller: Panasonic

vorrätig

RFQ

ECH8502-TL-H

Beschreibung: TRANS NPN/PNP 100V/50V 5A 8ECH

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

ECH-U1H823JX9

Beschreibung: CAP FILM 0.082UF 5% 50VDC 1913

Hersteller: Panasonic

vorrätig

RFQ

ECH8315-TL-W

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 7.5A ECH8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

ECH3010PPAT-1

Beschreibung: CAP PROX M30 PNP 10MM PTFE QD

Hersteller: Carlo Gavazzi

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RFQ

ECH8315-TL-H

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 7.5A ECH8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

ECH8501-TL-H

Beschreibung: TRANS NPN/PNP 30V 5A 8ECH

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

ECH8420-TL-H

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 14A ECH8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

ECH8309-TL-H

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 9.5A ECH8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

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ECH8308-P-TL-H

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 10A ECH8

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