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3035944EMD22T2R-Bild.LAPIS Semiconductor

EMD22T2R

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    EMD22T2R
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.EMD22T2R.pdf
    2.EMD22T2R.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 2.5mA
  • Transistor-Typ
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Supplier Device-Gehäuse
    EMT6
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    47 kOhms
  • Widerstand - Basis (R1)
    4.7 kOhms
  • Leistung - max
    150mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-563, SOT-666
  • Andere Namen
    EMD22T2R-ND
    EMD22T2RTR
    Q2730364
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    250MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT6
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    80 @ 10mA, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA
  • Basisteilenummer
    *MD22

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EMD

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Beschreibung: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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EMD4DXV6T5G

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Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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EMD22FHAT2R

EMD22FHAT2R

Beschreibung: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
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EMD2FHAT2R

EMD2FHAT2R

Beschreibung: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
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EMD29T2R

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Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.12W EMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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EMD30T2R

EMD30T2R

Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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EMD12T2R

EMD12T2R

Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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RFQ
EMD5DXV6T1G

EMD5DXV6T1G

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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EMD59T2R

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Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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EMD2T2R

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Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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EMD5DXV6T1

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Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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EMD62T2R

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Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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EMD4DXV6T1G

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Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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EMD4T2R

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Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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EMD5DXV6T5G

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Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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EMD3T2R

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Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

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EMD5T2R

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Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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Beschreibung: SENSOR HUMIDITY

Hersteller: Advanced Sensors / Amphenol
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