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6533275FCU3400N80Z-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FCU3400N80Z

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    FCU3400N80Z
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 800V 2A IPAK
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    FCU3400N80Z.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 200µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    I-PAK
  • Serie
    SuperFET® II
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.4 Ohm @ 1A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    32W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    400pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    9.6nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    800V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 800V 2A (Tc) 32W (Tc) Through Hole I-PAK
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    2A (Tc)

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Das Folgende sind "FCU3400N80Z" -Einziper.
IRF6668TR1

IRF6668TR1

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET-MZ

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
HUF76619D3S

HUF76619D3S

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 18A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FCU4300N80Z

FCU4300N80Z

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 1.6A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FCU600N65S3R0

FCU600N65S3R0

Beschreibung: SUPERFET3 650V IPAK PKG

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
STP8NS25FP

STP8NS25FP

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 8A TO-220FP

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
NP80N04PLG-E1B-AY

NP80N04PLG-E1B-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 80A TO-263

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
2N7002PM,315

2N7002PM,315

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-883

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
FDD6672A

FDD6672A

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 65A D-PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
STFH10N60M2

STFH10N60M2

Beschreibung: MOSFET NCH 600V 7.5A TO220

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
BUK753R1-40B,127

BUK753R1-40B,127

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
FCU5N60TU

FCU5N60TU

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 4.6A I-PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FCU-7

FCU-7

Beschreibung: FUSE TRON DUAL-ELEMENT

Hersteller: Bussmann (Eaton)
vorrätig
RFQ
SIHB22N60S-E3

SIHB22N60S-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK

Hersteller: Vishay Siliconix
vorrätig
RFQ
FCU-2

FCU-2

Beschreibung: FUSE TRON DUAL-ELEMENT

Hersteller: Bussmann (Eaton)
vorrätig
RFQ
FCUL0530-R47M=P3

FCUL0530-R47M=P3

Beschreibung: FIXED IND 470NH 16A 2.85 MOHM

Hersteller: Murata Electronics
vorrätig
RFQ
FCU7N60TU

FCU7N60TU

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FCU360N65S3R0

FCU360N65S3R0

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FCU900N60Z

FCU900N60Z

Beschreibung: MOSFET N CH 600V 4.5A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FCU850N80Z

FCU850N80Z

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 6A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FCU2250N80Z

FCU2250N80Z

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 2.6A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
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