FCU900N60Z

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Spezifikation

Artikelnummer

FCU900N60Z
Hersteller / Marke

AMI Semiconductor/onsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N CH 600V 4.5A IPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FCU900N60Z.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

I-PAK
Serie

SuperFET® II
Rds On (Max) @ Id, Vgs

900 mOhm @ 2.3A, 10V
Verlustleistung (max)

52W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

710pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 4.5A (Tc) 52W (Tc) Through Hole I-PAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

4.5A (Tc)

Das Folgende sind "FCU900N60Z" -Einziper.

NTD4809NA-1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 9A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

FCU2250N80Z

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 2.6A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

IXFK44N50Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 44A TO-264AA

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

RFQ

SSM3J120TU,LF

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4A UFM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RFQ

FCU850N80Z

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 6A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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RFQ

FCU5N60TU

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 4.6A I-PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

FCU3400N80Z

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 2A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

FCUL0530-R47M=P3

Beschreibung: FIXED IND 470NH 16A 2.85 MOHM

Hersteller: Murata Electronics

vorrätig

RFQ

APT12057B2LLG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX

Hersteller: Microsemi

vorrätig

RFQ

FCU7N60TU

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

IPB100N04S2L03ATMA2

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RFQ

FCU-7

Beschreibung: FUSE TRON DUAL-ELEMENT

Hersteller: Bussmann (Eaton)

vorrätig

RFQ

IRC634PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220-5

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RFQ

FCU600N65S3R0

Beschreibung: SUPERFET3 650V IPAK PKG

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

FCU4300N80Z

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 1.6A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

BSC0906NSATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 18A 8TDSON

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RFQ

IXTA200N085T

Beschreibung: MOSFET N-CH 85V 200A TO-263

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

RFQ

IXTC130N15T

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V ISOPLUS220

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

RFQ

FCU360N65S3R0

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RFQ

FCU-2

Beschreibung: FUSE TRON DUAL-ELEMENT

Hersteller: Bussmann (Eaton)

vorrätig

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