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5062022FCU7N60TU-Bild.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FCU7N60TU

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    FCU7N60TU
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    FCU7N60TU.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    I-PAK
  • Serie
    SuperFET™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    600 mOhm @ 3.5A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    83W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    920pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    30nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    600V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 600V 7A (Tc) 83W (Tc) Through Hole I-PAK
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    7A (Tc)

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Zahlung
Das Folgende sind "FCU7N60TU" -Einziper.
SQD35N05-26L-GE3

SQD35N05-26L-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 30A TO252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
FCU-2

FCU-2

Beschreibung: FUSE TRON DUAL-ELEMENT

Hersteller: Bussmann (Eaton)
vorrätig
RFQ
FCU4300N80Z

FCU4300N80Z

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 1.6A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
STL62P3LLH6

STL62P3LLH6

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 62A 8POWERFLAT

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
IRL60HS118

IRL60HS118

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRF7604TRPBF

IRF7604TRPBF

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.6A MICRO8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
FCUL0530-R47M=P3

FCUL0530-R47M=P3

Beschreibung: FIXED IND 470NH 16A 2.85 MOHM

Hersteller: Murata Electronics
vorrätig
RFQ
BUK9M53-60EX

BUK9M53-60EX

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 17A LFPAK

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
FCU600N65S3R0

FCU600N65S3R0

Beschreibung: SUPERFET3 650V IPAK PKG

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FCU2250N80Z

FCU2250N80Z

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 2.6A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SIHP30N60E-E3

SIHP30N60E-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
FCU5N60TU

FCU5N60TU

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 4.6A I-PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FCU-7

FCU-7

Beschreibung: FUSE TRON DUAL-ELEMENT

Hersteller: Bussmann (Eaton)
vorrätig
RFQ
FCU3400N80Z

FCU3400N80Z

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 2A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BSS139L6906HTSA1

BSS139L6906HTSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
FCU850N80Z

FCU850N80Z

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 6A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FCU360N65S3R0

FCU360N65S3R0

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FCU900N60Z

FCU900N60Z

Beschreibung: MOSFET N CH 600V 4.5A IPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
PSMN030-150B,118

PSMN030-150B,118

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 55.5A D2PAK

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
AOB298L

AOB298L

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 9A D2PAK

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
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