FDD13AN06A0_F085

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Spezifikation

Artikelnummer

FDD13AN06A0_F085
Hersteller / Marke

Fairchild (onsemi)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

FDD13AN06A0_F085.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Prüfung

1350pF @ 25V
Spannung - Durchschlag

TO-252AA
VGS (th) (Max) @ Id

13.5 mOhm @ 50A, 10V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Serie

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
RoHS Status

Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.9A (Ta), 50A (Tc)
Polarisation

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller-Teilenummer

FDD13AN06A0_F085
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

29nC @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4V @ 250µA
FET-Merkmal

N-Channel
Expanded Beschreibung

N-Channel 60V 9.9A (Ta), 50A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Drain-Source-Spannung (Vdss)

-
Beschreibung

MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

60V
Kapazitätsverhältnis

115W (Tc)

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Das Folgende sind "FDD13AN06A0_F085" -Einziper.

FDD1600N10ALZ

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDD13AN06A0_F085

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