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FDN359AN

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    FDN359AN
  • Hersteller / Marke
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.FDN359AN.pdf
    2.FDN359AN.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SuperSOT-3
  • Serie
    PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    46 mOhm @ 2.7A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    500mW (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Andere Namen
    FDN359AN_F095
    FDN359ANTR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    42 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    480pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7nC @ 5V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 30V 2.7A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    2.7A (Ta)

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FDN340P

FDN340P

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2A SSOT3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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FDN342P

FDN342P

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2A SSOT-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDN361AN

FDN361AN

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 1.8A SSOT-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDN359BN

FDN359BN

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT

Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDN352AP

FDN352AP

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 1.3A SSOT-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDN358P

FDN358P

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDN359BN

FDN359BN

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDN338P_G

FDN338P_G

Beschreibung: INTEGRATED CIRCUIT

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDN5618P

FDN5618P

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 1.25A SSOT3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDN360P

FDN360P

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 2A SSOT3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDN371N

FDN371N

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 2.5A SSOT-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDN339AN

FDN339AN

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 3A SSOT3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDN339AN_G

FDN339AN_G

Beschreibung: MOSFET N-CH

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDN338P

FDN338P

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 1.6A SSOT3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDN5618P_G

FDN5618P_G

Beschreibung: INTEGRATED CIRCUIT

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDN372S

FDN372S

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.6A SSOT-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDN537N

FDN537N

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6.5A SSOT-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDN357N

FDN357N

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDN361BN

FDN361BN

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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FDN337N

FDN337N

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.2A SSOT3

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