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FDN360P

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    FDN360P
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  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SuperSOT-3
  • Serie
    PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    80 mOhm @ 2A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    500mW (Ta)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Andere Namen
    FDN360P_F095CT
    FDN360P_F095CT-ND
    FDN360PCT
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    42 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    298pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    9nC @ 10V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 30V 2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    2A (Ta)
FDN342P

FDN342P

Beschreibung:

Hersteller: onsemi
vorrätig
FDN361AN

FDN361AN

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 1.8A SSOT-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FDN361BN

FDN361BN

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FDN339AN

FDN339AN

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FDN359BN

FDN359BN

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT

Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
vorrätig
FDN5618P

FDN5618P

Beschreibung:

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
FDN359BN

FDN359BN

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FDN5630

FDN5630

Beschreibung:

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
FDN359AN

FDN359AN

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FDN8601

FDN8601

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 2.7A 3SSOT

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FDN339AN_G

FDN339AN_G

Beschreibung: MOSFET N-CH

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FDN372S

FDN372S

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.6A SSOT-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FDN537N

FDN537N

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 6.5A SSOT-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FDN5618P_G

FDN5618P_G

Beschreibung: INTEGRATED CIRCUIT

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FDN340P

FDN340P

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FDN371N

FDN371N

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 2.5A SSOT-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FDN5632N-F085

FDN5632N-F085

Beschreibung:

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
FDN358P

FDN358P

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
FDN357N

FDN357N

Beschreibung:

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
FDN352AP

FDN352AP

Beschreibung:

Hersteller: ON Semiconductor
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